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采用液相反应成功制备了高质量硒纳米线。利用透射电镜（TEM）、高分辨透射电镜（HRTEM）以及X射线衍射仪（XRD）研究了纳米的形貌结构特征。结果表明,硒纳米线为单晶结构,生长方向沿[001]面,平行于螺旋轴。结合光刻技术及磁控溅射镀膜技术,成功制备了硒纳米线场效应晶体管器件。初步测试表明,这种硒纳米线为p型半导体。