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采用直流电沉积方法，在石墨板上成功制备了半导体二氧化钛功能薄膜前驱体，分析讨论了电沉积过程中实验参数对TiO2前驱体成膜的影响，获得了制备二氧化钛膜最佳工艺参数。TiO2前驱体沉积速率随着电流密度的增大而增加，为了保证薄膜质量，将电流密度控制在5～45mA／cm^2之间；溶液浓度对沉积速率也有影响，当溶液中TiCl4：H2O2=1：2时沉积速率最大；最佳沉积温度为5-10℃。运用差热分析、XRD相结构分析和SEM等手段，研究了该前驱体到锐钛矿相（anatase）和金红石相（rutile）二氧化钛的组织相转