【摘 要】
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采用新一代功率半导体器件SiC作为半桥驱动电路的开关管,在38 kHz频率下驱动HID.结果显示,SiC MOS管相比于硅MOS管具有不可比拟的优越特性和发展潜力.根据SiC MOS管的特性,设
【基金项目】
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福建省科技厅项目(2016H0030);福建省大学生创新项目(S201910399050)
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采用新一代功率半导体器件SiC作为半桥驱动电路的开关管,在38 kHz频率下驱动HID.结果显示,SiC MOS管相比于硅MOS管具有不可比拟的优越特性和发展潜力.根据SiC MOS管的特性,设计出专用于SiC MOS管的HID控制电路与驱动电路,解决半桥输入信号之间的干扰、寄生信号和误导通等问题,从而提高了HID驱动电路的能源利用率.
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