980 nm半导体激光照射对种植体表面结构和温度影响的实验研究

来源 :激光生物学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:Depthcharge2009
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目的:980 nm半导体激光可用于种植体周围软组织处理和种植体周围炎治疗,但其对种植体的作用尚未完全被了解。本文研究980 nm半导体激光照射对种植体表面结构和温度变化的影响,以期为临床使用参数设置和操作方法提供依据。方法:980 nm半导体激光照射纯钛圆盘试件,扫描电镜观察钛盘表面结构变化,热电偶检测钛盘温度变化范围和到达骨组织损伤温度升高阈值(10℃)的照射时长。结果:实验全部参数设置下980 nm半导体激光照射,钛盘表面结构均无明显改变。脉冲模式输出功率1 W,移动照射20 s钛盘温度上升19.8℃;经过10.2 s钛盘温度升高可达10℃。连续输出模式或增加输出功率,钛盘温度显著上升,并可在数秒内超过10℃。结论:980 nm半导体激光照射对种植体表面结构无损伤,但存在种植体温度升高造成周围组织热损伤的风险。
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