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双栅MOSFET是一种非常有发展前途的新型器件,它具有跨导高、亚阈值特性优异、短沟道特性好等优点.但是目前自对准的双栅MOSFET的工艺制作相当困难.本文中分析了双栅MOSFET 的正、背面栅存在对准误差时,对器件的静态及动态特性的影响,并提出了一种改善这种影响的方法.
栅对准误差对双栅MOSFET性能影响的分析
【摘 要】
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双栅MOSFET是一种非常有发展前途的新型器件,它具有跨导高、亚阈值特性优异、短沟道特性好等优点.但是目前自对准的双栅MOSFET的工艺制作相当困难.本文中分析了双栅MOSFET 的
【机 构】
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东南大学微电子中心
【出 处】
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电子器件
【发表日期】
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2002年4期
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