【摘 要】
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二维过渡金属硫属化合物具有优异的电学和光学特性,形貌控制及带隙调控对于其在光电子学、光子学、纳米电子学领域中的应用至关重要。研究采用CVD技术在SiO2/Si衬底上生长了
【机 构】
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辽宁师范大学物理与电子技术学院,中国工程物理研究院化工材料研究所
【基金项目】
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四川省重点研究开发项目（2017GZ0052）, 博士后创新人才支持计划（BX201700214）
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二维过渡金属硫属化合物具有优异的电学和光学特性,形貌控制及带隙调控对于其在光电子学、光子学、纳米电子学领域中的应用至关重要。研究采用CVD技术在SiO2/Si衬底上生长了垂直排列ReS2纳米片材料,硒化处理后得到ReS（2（1–x）Se（2x）合金纳米片,并研究了硒化温度（700、850和920℃）及硒化时间（0.5、1和1.5h）对ReS（2（1–x））Se（2x）合金纳米片形貌及组分的影响。XPS元素定量分析及紫外–可见–近红外吸收光谱研究表明ReS（2（1–x））Se（2x）样品中Se含量可以在x=
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