【摘 要】
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研究了柔性基板上的薄膜晶体管,使用IGZO作为有源层,栅极绝缘层采用NH 3等离子体和N 2O等离子体分别进行处理,研究器件性能变化。结果表明等离子体类型及处理时间对阈值电压
【机 构】
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上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室
【基金项目】
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项目来源:上海市科委项目(16JC1400602)
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研究了柔性基板上的薄膜晶体管,使用IGZO作为有源层,栅极绝缘层采用NH 3等离子体和N 2O等离子体分别进行处理,研究器件性能变化。结果表明等离子体类型及处理时间对阈值电压、场效应迁移率、开关比、亚阈值摆幅(SS)和偏压稳定性都有影响。TFT器件用NH 3等离子体处理10 s显示出最佳的器件性能,阈值电压达到0.34 V,场效应迁移率为15.97 cm 2/Vs,开关比为6.33×10 7,亚阈值摆幅为0.36 V/dec。提出的柔性IGZO-TFT是下一代柔性显示驱动装置较好选择。
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