【摘 要】
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本文探讨了代位式碳杂质在硅单晶中的振动行为.由于碳杂质周围的晶格畸变和电子电荷密度重新分布感生有效电荷,提出C-Si4局域有效电荷模型;计算了由此产生的局域模频率和红外
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本文探讨了代位式碳杂质在硅单晶中的振动行为.由于碳杂质周围的晶格畸变和电子电荷密度重新分布感生有效电荷,提出C-Si4局域有效电荷模型;计算了由此产生的局域模频率和红外吸收系数.理论计算的结果与R.C.Newman等人的实验结果的一致性,说明局域有效电荷模型适用于处理一些代位式杂质在金刚石结构晶体中的晶格动力学问题.
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