SiC一维纳米材料的量产化连续制备及相关应用研究进展

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随着科技的飞速发展,各类电子元器件正向着小型化、智能化、高集成、高密度存储和超快传输的方向发展,受量子效应、小尺寸效应等的影响,SiC 一维纳米材料作为第三代宽带隙半导体功能纳米材料,除具有块体 SiC 所具有的高临界击穿电场、热导率、电子饱和迁移率、抗辐射特性及优异的机械性能外,还显现出许多特殊的光、电、热、磁和力学等性能,可以用来制造各种高频、大功率、低能耗、耐高温和抗辐射器件.然而,如何实现 SiC 一维纳米材料的量产化制备及探索其新颖性能,已成为业界亟需解决的问题.针对上述问题,本课题组设计制造出具有自主知识产权的三室式智能周期性可控气氛炉,实现了高质量、高产量、低成本 SiC 一维纳米材料的连续化制备,并探究了其在超级电容器和介电吸波等领域中的应用.本课题的实施得到了国家自然科学基金、国家科技型中小企业技术创新基金、山东省科技攻关计划等项目的大力支持.
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