(111)方向的InAs/GaSb超晶格材料电子结构的杂化泛函计算

来源 :红外与毫米波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：youlan26

【摘要】

：

采用电子密度泛函理论方法计算了一系列(111)方向的InAs/GaSb超晶格的电子结构和能带结构.将杂化泛函的计算结果与普通密度泛函方法的计算结果进行了比较.Heyd-Scuseria-Ernz

【作者】

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姚路驰周孝好陈效双

【机构】

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中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083中国科学院大学,北京100049;中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083;

【出处】

：

红外与毫米波学报

【发表日期】

：

2016年6期

【关键词】

：

第一性原理方法杂化泛函 Ⅱ类超晶格能带计算

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采用电子密度泛函理论方法计算了一系列(111)方向的InAs/GaSb超晶格的电子结构和能带结构.将杂化泛函的计算结果与普通密度泛函方法的计算结果进行了比较.Heyd-Scuseria-Ernzerhof (HSE)杂化与对固体修正的Perdew-Burke-Ernzerhof (PBE)近似结合的杂化泛函显示了较传统PBE方法和若干其他杂化泛函更符合实验数据的结果.采用该方法研究了InAs/GaSb超晶格的带隙随超晶格周期厚度以及InAs/GaSb比例变化的规律.其结果与以往实验结果符合很好.这些结果表明HSE-PBEsol方法对于估计InAs/GaSb超晶格的电子性质适用.

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