Er离子注入GaP,GaAs,InP的二次离子质谱（SIMS）的研究

来源 :发光快报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yaoyanfeiyu

【摘要】

：

近年来掺稀土元素的Ⅲ—V族化合物研究在基础物理和器件应用方面都越来越引起人们的关注,其中又由于Er3+的4I13/2—4I——（15/2

【作者】

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陈辰嘉周必忠

【机构】

：

北京大学物理系,厦门大学物理系,中国科学院长春物理研究所,C.N.R.-Centro北京100871,北京100871,厦门361005,长春130021,diStudioperlaCristallo

【出处】

：

发光快报

【发表日期】

：

1994年1期

【关键词】

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离子注入铒二次离子质谱砷化镓

【基金项目】

：

国家自然科学基金资助项目

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近年来掺稀土元素的Ⅲ—V族化合物研究在基础物理和器件应用方面都越来越引起人们的关注,其中又由于Er3+的4I13/2—4I——（15/2）的特征发光波长为1.54μm,恰好对应于石英光纤的低损耗区,且离子注入技术简单易行,因而倍受重视.国际上已报道了不少有关Er注入Ⅲ—V族化合物的研究,大多选用较低的注入剂量(约10<

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