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三氯氢硅还原反应是改良西门子法生产多晶硅的主要过程，本文对三氯氢硅还原反应进行分子模拟，采用密度泛函理论方法（DFT）研究了三氯氢硅还原成多晶硅的能量变化，对其分子结构进行优化，通过EST／QST方法计算多晶硅还原过程中可能出现的过渡态及能量的变化，得到过渡态Tsa、TSb、TSc。结果表明，三氯氢硅还原反应通道Patha所得过渡态的活化能垒较低，过程进行较顺利。