Fabrication of Silicon Quantum Wires by Conventional Silicon Processing

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Ultra fine silicon quantum wires with the Si/SiO_2 heterointerface have been fabricatedsuccessfully by using reactive ion etching,anisotropic wet chemical etching and subsequentthermal oxidation.The cross-sectional image of scanning electron microscope shows the sili-con quantum wires of high quality with the linewidth down to 20nm.The present methodhas many remarkable advantages,which is important to the study of low-dimension quantumphysics and devices. Ultra fine silicon quantum wires with the Si / SiO 2 heterointerface have been fabricated successfully by using reactive ion etching, anisotropic wet chemical etching and subsequent thermal oxidation. The cross-sectional image of scanning electron microscope shows the sili-con quantum wires of high quality with the linewidth down to 20nm. The present methodhas many remarkable advantages, which is important to the study of low-dimension quantumphysics and devices.
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