绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是电力电子系统实现电能变换与控制的核心组件之一。然而,工业界反馈的数据表明,应用于高可靠性场合的IGBT模块可靠性并不高,其热疲劳失效将会导致整个系统的非计划停机。对IGBT模块的预期使用寿命进行评估,将有助于指导电力电子装置的定期维修,降低经济损失。相关研究表明,IGBT模块的失效和温度关系密切,因此该文从热特性角度阐述IGBT模块的寿命评估。具体涉及热疲劳失效机理、热网络的建立与应用、热参数的辨识与监测、结温的估算及用于寿命预测的失效物理和解析模型五个方面。最后总结了现有
目的 探究小檗碱缓解小鼠溃疡性结肠炎(U C)的机制.方法 将30只小鼠随机均分为对照组、模型组和小檗碱组,每组10只,使用质量浓度为50 g·L-1的葡聚糖硫酸钠(DSS)诱导UC模型.
传统线路避雷器与线路绝缘子彼此独立设计与生产,现场组装时存在安装复杂、综合成本高、故障风险点多等应用不足,将避雷器与绝缘子集成一体化设计是一种解决方案.针对已有10
压接型IGBT器件是智能电网中大容量电力电子装备的基础核心器件,其可靠性直接关系到装备及电网的运行安全,而封装失效是其主要失效模式,封装退化监测是实现其故障诊断、状态预测及智能运维的关键。针对现有研究大多侧重于传统焊接型IGBT器件封装退化监测的问题,该文以压接型IGBT器件为研究对象,首先,介绍压接型IGBT器件封装结构;然后,系统分析微动磨损失效、栅氧化层失效、接触面微烧蚀失效、边界翘曲失效、弹簧失效、短路失效、开路失效共七种封装失效模式及对应的封装退化监测方法,并提出现有监测方法存在的问题;最后,从
在中高压、大容量电力电子变流系统中,大功率IGBT模块是变流器的核心器件,而驱动电路是影响IGBT模块及其组成的变流系统运行可靠性的关键因素。已有研究表明,对于IGBT模块的突发故障与老化失效,通过驱动电路进行状态监测与保护是目前能够对其实现故障诊断最快的方法。因此,该文提出一种基于量化电压并行比较的IGBT状态监测保护电路。首先,建立IGBT模块等效电路模型,分析模块内部寄生参数对饱和导通压降V
ce(sat)、短路电流I
sc、开通延迟时间t
don
目的 分析三七皂苷R1(NR1)对脑动脉硬化(CEA)模型大鼠血管内皮细胞(VEC)功能及p38MAPK信号通路的影响.方法 将60只SD雄性大鼠随机分为对照组、模型组、辛伐他汀组和NR1高、中
目的分别对小鼠和大鼠给予阿如日-4味丸后的急性毒性和亚急性毒性进行评价。方法在急性毒性研究中,将40只小鼠随机分为对照组和阿如日-4味丸组,每组20只,灌胃给药,分析小鼠的一般行为、体质量及摄食量。在亚急性毒性研究中,将80只大鼠随机分为阿如日-4味丸低、中、高剂量组(2.7、5.4、10.8 g·kg-1)及对照组,每组20只,连续28 d灌胃给药,分析小鼠的一般行为、体质量、摄食量、血清生化及血液学指标。结果在急性毒性研究中,小鼠给予阿如日-4味丸后未观察到明显毒性症状,与对照组
该文围绕同步整流型Boost拓扑效率提升这一关键问题展开研究。作为Boost变换器三种工作模式之一,临界导通模式(BCM)下的Boost变换器可以实现主功率开关的零电压开通或谷底开通以及续流管的零电流关断,有助于提升变换器效率。此外,采用同步整流技术可进一步减小传统续流二极管的导通损耗。该文从BCM下的参数设计出发,重点研究变换器的死区时间配置方法。该方法理论上减小了内部体二极管的导通损耗,在输出电流较大的情况下,有助于进一步提升变换器效率。此外,还总结Boost变换器的主要损耗计算方法。最后,利用GaN
碳化硅(SiC)MOSFET具有耐压高、开关速度快、导通损耗低等优点,将越来越广泛地应用于高效、高功率密度场合。在这些应用场合中,SiC MOSFET面临着严峻的可靠性考验,而结温的在线准确提取是实现器件寿命预测和可靠性评估的重要基础。该文提出一种基于功率模块内置负温度系数(NTC)温度传感器的器件结温在线提取方法。首先建立考虑多芯片热耦合效应的内置温度传感器至功率芯片的热网络模型,并建立SiC MOSFET的损耗快速计算方法;通过有限元仿真提取热网络模型的阻抗参数,并验证该热网络参数在不同边界条件下的稳
在以浮选法处理电解铝阴极碳素内衬后产生的废水中添加不同含铝和含钠化合物来合成冰晶石,考察了不同因素对氟离子去除的影响。得到最佳反应条件为:AlCl3与NaCl的物质的量比1∶3,pH 6,温度60 ℃。在此条件下,氟离子的去除效率最高,所获得的冰晶石最多。