ULSI制造中铜化学机械抛光的腐蚀磨损机理分析

来源 :润滑与密封 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yumenglu

【摘要】

：

以超大规模集成电路(ULSI)芯片多层互连结构制造中的关键平坦化工艺--铜化学机械抛光(Cu-CMP)为研究对象,针对Cu-CMP中存在的抛光液的化学腐蚀作用和磨料的机械磨损现象,采用

【作者】

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李秀娟金洙吉康仁科郭东明苏建修

【机构】

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大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室

【出处】

：

润滑与密封

【发表日期】

：

2005年4期

【关键词】

：

ULSI 铜化学机械抛光材料去除机理腐蚀磨损 Copper Corrosion Electrochemistry Etching Integrated ci

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以超大规模集成电路(ULSI)芯片多层互连结构制造中的关键平坦化工艺--铜化学机械抛光(Cu-CMP)为研究对象,针对Cu-CMP中存在的抛光液的化学腐蚀作用和磨料的机械磨损现象,采用腐蚀磨损理论分析了Cu-CMP材料去除机理.提出铜CMP的材料去除中存在着机械增强的化学腐蚀和化学增强的机械磨损,并分析了Cu-CMP的静态腐蚀材料去除、机械增强的腐蚀去除与化学增强的机械去除机理.

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