【摘 要】
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利用溶胶-凝胶的方法制备钛酸锶氧敏薄膜,该薄膜是制造电阻型氧敏传感器的一种潜在材料.在钛酸锶中掺杂不同含量的镁离子,形成SrTi1-xMg O3薄膜,其中Mg的含量,即x值分别为0,0
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利用溶胶-凝胶的方法制备钛酸锶氧敏薄膜,该薄膜是制造电阻型氧敏传感器的一种潜在材料.在钛酸锶中掺杂不同含量的镁离子,形成SrTi1-xMg O3薄膜,其中Mg的含量,即x值分别为0,0.05,0.10,0.15,0.20,0.25,0.30.镁在钛酸锶中取代钛位,形成受主掺杂.测试不同氧分压(0～105Pa)、温度(600～800℃)下薄膜的电阻.发现掺镁的钛酸锶在氧化气氛下是p型半导体.并且当x值(镁的含量)在0.10～0.15之间、较低氧分压下,薄膜的电阻温度系数接近零.此外,还从缺陷化学反应角度讨论
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