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研究了4H—SiC MESFET器件的电学击穿特性和热学稳定性．建立了金属半导体场效应晶体管器件二维数值模型，分析了雪崩碰撞离化效应、隧穿效应和热效应在器件击穿中的作用．综合考虑了栅极偏置、自热效应等因素对击穿的影响．采用准静态方法，求解瞬态偏微分方程组，分析了器件的耐热耐压性能和可靠性。
4H—SiC功率MESFET的击穿特性
【摘 要】
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研究了4H—SiC MESFET器件的电学击穿特性和热学稳定性．建立了金属半导体场效应晶体管器件二维数值模型，分析了雪崩碰撞离化效应、隧穿效应和热效应在器件击穿中的作用．综合考虑
【机 构】
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西安电子科技大学微电子所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2004年9期
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