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分布反馈（DFB）光栅的制作是半导体激光器芯片的关键工艺，通过纳米压印技术在InP基片表面涂覆的光刻胶上压印出DFB光栅图形，并分别通过湿法腐蚀和干法刻蚀技术将光栅图形转移到InP基片上。所制作的DFB光栅周期为240nm（对应于1550nm波长的DFB激光器），光栅中间具有A／4相移结构。采用纳米压印技术制作的DFB光栅相对于通常双光束干涉法制作的光栅具有更好的均匀性以及更低的线条粗糙度，而且解决了双光束干涉法无法制作非均匀光栅的技术难题。相对于电子束直写光刻法，采用纳米压印技术制作DFB光栅具有快速与