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在G4.5实验线上,采用射频磁控溅射法,通过优化成膜时的温度、功率、气体流量比、退火温度和膜层厚度等参数,以XRD,HR-TEM,NBED和EDS进行表征,研究制备结晶IGZO的工艺参数及其对薄膜晶体管(TFT)电性的影响。结果表明,当IGZO膜层厚度达到3000A以上时结晶效果明显,且不受其他因素影响;成膜功率对IGZO结晶现象有加强作用,功率越高越易结晶;成膜温度和氧气/氩气(O2/Ar)气体比例对IGZO结晶影响不大;成膜完成后经过600℃的退火处理可有效地促进IGZO的再结晶。通过优化IGZO成膜