【摘 要】
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基于45nm SOI CMOS工艺,设计了一款两级流水线级联型逐次逼近ADC（Pipeline-SAR ADC）.摒弃了传统流水线结构中大功耗级间运算放大器,采用过零比较器和受控电流源完成级间余量放
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基于45nm SOI CMOS工艺,设计了一款两级流水线级联型逐次逼近ADC（Pipeline-SAR ADC）.摒弃了传统流水线结构中大功耗级间运算放大器,采用过零比较器和受控电流源完成级间余量放大功能,极大地减小了ADC的功耗.分析了子ADC中比较器失调对ADC精度的影响,提出了一种具有失调校准的动态比较器,满足了高精度、高速度的要求.此外,在设计逐次逼近结构时,采用共模切换、上极板采样和全定制控制逻辑等技术进一步降低了系统功耗.仿真结果显示,ADC在125 MS/s、奈圭斯特输入频率下,实现了60.
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