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室温下，采用直流磁控溅射法，在玻璃衬底上制备出Nb掺杂ZnO（NZO，ZnO：Nb）透明导电薄膜。研究了靶与衬底之间的距离对NZO薄膜结构、形貌、光学及电学性能的影响。实验结果表明，不同靶基距下制备的NZO薄膜均为c轴择优取向生长，（002）衍射峰的强度随着靶基距的减小而增大。靶基距增大时，薄膜表面逐步趋向平整光滑、均匀致密，薄膜的厚度逐渐减小。在靶基距为60mm时，制备的薄膜厚为355．41nm，电阻率具有最小值（6．04×10^-4Ω·cm），在可见光区的平均透过率达到92．5％，