【摘 要】
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根据半导体核辐射探测器对材料的要求,在z>30,E_g在1.3—2.6eV间的二元化合物半导体中,HgI_2、CdTe和CdSe可能是三种最好的材料,讨论了用这三种材料制成的探测器性能。介绍了
【机 构】
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清华大学核能技术研究所rrrrrrrrn,清华大学核能技术研究所
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根据半导体核辐射探测器对材料的要求,在z>30,E_g在1.3—2.6eV间的二元化合物半导体中,HgI_2、CdTe和CdSe可能是三种最好的材料,讨论了用这三种材料制成的探测器性能。介绍了我国核探测器用化合物半导体的研制情况。
According to the material requirements of the semiconductor nuclear radiation detector, HgI 2, CdTe and CdSe may be the three best materials in the binary compound semiconductors with z> 30 and E_g between 1.3 and 2.6eV. Detector performance made of material. The development of compound semiconductors for nuclear detectors in our country is introduced.
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