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结合FET和一维微纳材料的优势，构筑了具有高灵敏度和低检测极限的FET式H2S气体传感器。研究结果发现，在室温条件下，器件对体积分数5×10–6至50×10–6的H 2 S具有良好的灵敏度和低检测极限（5×10–6）。相比于薄膜FET传感器，检测极限降至原来的1/20。与PMMA绝缘层比较研究结果显示：引起器件对H 2 S的高器件性能的原因主要归因于被暴露的导电沟道和微纳材料的性质。