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提出了一种电迁移寿命的实时预测方法,并在0.18μm CMOS混合信号工艺下完成了预警电路的设计。预警电路与主电路放置在同一芯片上,经历相同的制造工艺和环境参数,任何影响主电路可靠性的因素都将施加在该预警电路上,从而克服了离线测试的局限性,具有实时在线测试的优点。当预警电路中电迁移引起的金属膜电阻器的阻值超过预设的界限时,其输出电平就会发生翻转,发出预警信号,主电路即将发生失效。