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中子嬗变掺杂直拉硅单晶内吸除效应机理的探讨

来源 :河北工学院学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ibm__1235

【摘要】

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中子嬗变掺杂直拉硅(NTDCZSi)作内吸除处理时(IG 处理),清洁区(DZ)和吸杂区(GZ)的形成机理与直拉硅(CZSi)不同,它们的形成是辐照缺陷与硅中间隙氧相互作用的结果.DZ 的宽度主

【作者】

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张维连李养贤

【出处】

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河北工学院学报

【发表日期】

：

1989年1期

【关键词】

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直拉硅单晶内吸除中子嬗变掺杂 Neutron transmutation doping NTIIntrinsic gettering IGDenuded

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中子嬗变掺杂直拉硅(NTDCZSi)作内吸除处理时(IG 处理),清洁区(DZ)和吸杂区(GZ)的形成机理与直拉硅(CZSi)不同,它们的形成是辐照缺陷与硅中间隙氧相互作用的结果.DZ 的宽度主要取决于IG 退火时辐照空位在样品表面附近深度内过剩的宽度,GZ 则是氧以体内辐照间隙型缺陷团为核心非均匀成核形成的.氧的外扩散和体内过饱和沉淀加速了 DZ 和 GZ 的完成.

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