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采用脉冲激光沉积方法在低阻GaAs上制备了Tb掺杂的非晶碳膜(a—C:Tb)/GaAs p-n结。利用Ag与GaAs之间的肖特基接触特性,构成了a—C:Tb/GaAs p-n结与Ag/GaAs肖特基结的反向串联结构。该异质结具有红光敏感特性,室温在光强为45mW/cm^2光照下的光灵敏度达到近1000。Tb掺杂大大提高了光灵敏度。