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采用脉冲激光沉积方法在低阻GaAs上制备了Tb掺杂的非晶碳膜（a—C：Tb）／GaAs p-n结。利用Ag与GaAs之间的肖特基接触特性，构成了a—C：Tb／GaAs p-n结与Ag／GaAs肖特基结的反向串联结构。该异质结具有红光敏感特性，室温在光强为45mW／cm^2光照下的光灵敏度达到近1000。Tb掺杂大大提高了光灵敏度。