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以抛光和“金字塔”织构表面的单晶Si（100）为衬底,分别以Au和Au-Al为金属催化剂,在温度为1 100℃、N2气流量为1 500sccm、生长时间为15~60min等工艺条件下,制备了直径约为50~200nm、长度为数微米至数十微米和不同分布的Si纳米线。然后,利用CeO2粉末为掺杂剂,在温度为1 100~1 200℃、N2流量为1 000sccm、掺杂时间为30~60min等工艺条件下对Si纳米线进行Ce掺杂。实验研究了不同Si纳米线长度、密度和分布等对Ce3＋蓝光发射的影响。室温下利用Hitac