【摘 要】
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采用电阻加热水平物理输运法对生长 ZnSe 晶体的原料进行提纯,使其纯度达到5N(99.999%).利用 Bridgman 单晶生长方式生长 ZnSe 晶体,所得晶体尺寸为35 mm×100 mm.在对晶体性
【机 构】
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北京科技大学材料科学与工程学院,北京理工大学光电工程系,
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采用电阻加热水平物理输运法对生长 ZnSe 晶体的原料进行提纯,使其纯度达到5N(99.999%).利用 Bridgman 单晶生长方式生长 ZnSe 晶体,所得晶体尺寸为35 mm×100 mm.在对晶体性能进行分析后,对晶体进行切割、研磨、抛光,获得相糙度为光学四级的晶体器件.晶体抛光后未镀膜,在0.5～22μm的波长范围,平均透过率达到60%以上。晶体镀膜后,在波长为10.6μm处的透过率可达98%以上。
The raw materials of ZnSe crystals were purified to 5N (99.999%) by resistance-heating horizontal physical transport method.The ZnSe crystals were grown by Bridgman single crystal growth method, and the size of the obtained crystals was 35 mm × 100 mm. After the performance was analyzed, the crystal was cut, polished and polished to obtain a crystal device with a degree of optical roughness of 4. The crystal was polished and uncoated, and the average transmittance was over 60% in the wavelength range of 0.5 to 22 μm. Crystal coating, the wavelength of 10.6μm at the transmittance of up to 98% or more.
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