使用带灯反应器的光CVDa—Si薄膜

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本文论述了使用一种灯与反应室为统一体的新型光CVD法.这种没有灯管和反应室窗口的光CVD系统有利于短波长光的辐射.在没有汞敏化剂的情况下,采用一体反应器,从硅烷气体淀积a-Si薄膜.测量了一体反应器的发射光谱.它与RF等离子比较,有Si的强波峰和SiH、H_2、Ar等的弱波峰.从光谱得出的电子温度在一体反应器中为4600~6100K. In this paper, a new type of optical CVD method using a combination of lamp and reaction chamber is discussed. This optical CVD system without a lamp and reaction chamber window is advantageous for the irradiation of short wavelength light.In the absence of a mercury sensitizer, An all-in-one reactor was used to deposit the a-Si thin film from the silane gas, and the emission spectrum of the integrated reactor was measured. It has a strong peak of Si and a weak peak of SiH, H 2, Ar etc. compared with the RF plasma. The electronic temperature in the integral reactor is 4600 ~ 6100K.
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