【摘 要】
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美国IBM公司的ZurichRese。hliltx）。tory开发了采用248run波长KrF激光可加工12Onm线宽的超精细曝光技术。当然，也可加II00run条宽。但通常，采用波长248urnKrF激光时，加工180urn
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美国IBM公司的ZurichRese。hliltx）。tory开发了采用248run波长KrF激光可加工12Onm线宽的超精细曝光技术。当然，也可加II00run条宽。但通常，采用波长248urnKrF激光时，加工180urn条宽已达极限。此项技术是：首先采用电子束曝光技术制成与硅圆片上制作的图形尺寸相同的掩模。在其上涂敷硅氧烷树脂、固化后剥离。我们将此称谓“LightSt。p”。在加工阶段，首先，在硅圆片上涂敷光致抗蚀剂，再在其上叠加hghtStamp。当触到来自上方的激光光束时，在hghtStamp中
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