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报道了我们最近研制的780nm半导体激光放大装置。激光放大管采用Eagleyard公司生产的（EYP．TPA-0780-01000）半导体锥形放大器，当输入的种子源激光功率为25mW时，放大器输出的激光功率达600mW左右，该光束经过透镜整形，声光调制器频移，然后耦合到单模保偏光纤后，输出功率达110mW。该激光放大装置可很好的用于高密度冷原子的俘获。