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本文采用１．３μｍＨｅ－Ｎｅ激光或ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ半导体激光作探针，实时，无损地测量硅半导体器件中的自由载流子浓度的变化。从理论上分析了器件内自由载流子浓度变化引起的折射率改变及由产生的光相位调制，它适用于硅和砷化镓材料的电子和光电子器件。本方法也显示了在测量集成电路内部有源器件特性方面的潜在应用前景。