Measurement of Deep Energy Level in InP:Fe by the Method of OTCS

来源 :半导体光子学与技术:英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:andysonz
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We have measured the deep energy level of the InP:Fe which is semi -insulator through the method of OTCS.The effect of light intensity on OTCS measurement is mainly discussed. There are electron trap of ET=0.034 eV and hole trap of ET=1.13 eVin InP:Fe und
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