宇航用元器件锡晶须生长研究

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通过分析锡晶须的研究历史,将锡晶须的研究归结为三个阶段:早期对锡晶须现象的研究、锡晶须生长机理的研究和减缓锡晶须生长方法的研究。比较了锡晶须长度及密度的测量方法。总结了目前抑制锡晶须生长的方法:在不同基底材料上采用不同厚度镀锡层;使用Ni、In等阻挡层;对镀层表面进行热处理和回流处理;避免使用纯锡镀层,镀层合金化;在镀层表面覆盖保形涂层。
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