【摘 要】
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日本东芝总公司的半导体分公司为了开发下一代晶片加工设备 ,已积极地与日本的设备厂家进行合作。东芝公司和 ULVCA (Chigasaki,神奈川区 )联合开发了一种新型铜源溅射台 ,可
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日本东芝总公司的半导体分公司为了开发下一代晶片加工设备 ,已积极地与日本的设备厂家进行合作。东芝公司和 ULVCA (Chigasaki,神奈川区 )联合开发了一种新型铜源溅射台 ,可溅射 0 .1 3μm特征尺寸的器件。特征尺寸小于 0 .1 5μm的器件无法使用 Long- throw溅射及离子溅射工?
Toshiba Corporation, Japan’s semiconductor branch in order to develop the next generation of wafer processing equipment, has been actively with Japan’s equipment manufacturers to cooperate. Toshiba and ULVCA (Chigasaki, Kanagawa Ward) have jointly developed a new type of copper source sputter unit that sputters 0.13μm feature size devices. Devices with feature sizes less than 0.1 μm can not use Long-throw sputtering and ion sputtering processes.
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