双极晶体管发射极电流集边效应理论及其在大生产中的应用研究

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本文对双极晶体管发射极电流集边效应的理论研究作了回顾.文章指出:1971年,J.Olmstead等人在四个假设下,导出了一维的描述该效应的微分方程,并给出了它的近似解.我们采用分离变量法,不作任何近似,导出了该微分方程的解析解,从而使描述该效应的理论得到了改进.该解析解理论用于射频功率晶体管的版图设计中,取得明显效益.解析解不仅提高了描述该效应的精度,更重要的,是拓宽了理论适用的范围,从弱注入到极强注入的所有注入范围内,它都能适用,都能给出基区电位和发射极电流的分布函数.
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