Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中Co2+的光谱及g因子的研究

来源 :四川大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:cnm008
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采用一种修正的晶体场理论方法研究了3d7离子在Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中的光谱和EPR谱g因子.此方法考虑了d7离子d电子与配体混合而导致d轨道中e和t2轨道畸变的各向异性以及配体旋轨耦合作用对g因子的贡献,用此方法解释了GaP,InP和GaAs中Co2+的光谱和g因子,并对结果进行了讨论 A modified crystal field theory was used to study the spectral and EPR g factors of 3d7 ions in group III-V compound semiconductors. This method takes into account the anisotropy of the e and t2 orbital distortion in the d orbit and the contribution of the ligand-spin-orbit coupling to the g-factor by mixing the d7 d ions with the ligand. This method is used to explain the effect of GaP, InP and GaAs Co2 + spectra and g-factor, and the results are discussed
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