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建立了功率MOS器件单粒子烧毁效应的等效电路模型和相应的参数提取方法，对功率MOS器件的输出特性和单粒子烧毁效应的机理进行了分析和PSPICE模拟，模拟结果与文献中提供的数据相符合，表明所建立的器件模型和模拟方法是可靠的。
功率MOS器件单粒子烧毁效应的PSPICE模拟
【摘 要】
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建立了功率MOS器件单粒子烧毁效应的等效电路模型和相应的参数提取方法，对功率MOS器件的输出特性和单粒子烧毁效应的机理进行了分析和PSPICE模拟，模拟结果与文献中提供的数据相
【机 构】
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西北核技术研究所
【出 处】
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核电子学与探测技术
【发表日期】
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1999年6期
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