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本文根据辐射敏的特点设计了不同沟道长度(L)和宽长比(W/L)的敏感管,并给出样品的直流参数的测试结果.
辐射敏感PMOS管的研制
【摘 要】
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本文根据辐射敏的特点设计了不同沟道长度(L)和宽长比(W/L)的敏感管,并给出样品的直流参数的测试结果.
【机 构】
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MEMS重点实验室,航天部五院,信息部第55研究所
【出 处】
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电子器件
【发表日期】
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2002年4期
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