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室温下缺少浅施主中心,已经成为金刚石材料制造电子器件的主要障碍之一.最近报道显示硼掺杂p型同质外延金刚石暴露在氘离子束中能形成浅施主态的n型电导,这是在外延金刚石材料中首次测出的浅施主能级.本文分析研究了目前p型金刚石出现导电类型转换这一新现象的最新研究进展.
氘化硼掺杂金刚石n型电导的研究
【摘 要】
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室温下缺少浅施主中心,已经成为金刚石材料制造电子器件的主要障碍之一.最近报道显示硼掺杂p型同质外延金刚石暴露在氘离子束中能形成浅施主态的n型电导,这是在外延金刚石材
【机 构】
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山东大学,山东大学
【出 处】
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功能材料
【发表日期】
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2005年12期
【基金项目】
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中国科学院资助项目，教育部科学技术研究项目
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