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利用Doi理论研究在磁场和剪切流同时作用下的高分子液晶的分子动力学问题。由于系统受到磁场的影响，在低剪切率范围内出现一种新型的稳定状态（new aligning）。并且这一领域随磁场强度的增加不断地扩大，进而导致了不稳定状态（tumbling）领域的逐渐减小，直至消失。因此，系统在这一领域的有序度可以被大幅度的提高。另一方面，在通常意义下的稳定状态（normal aligning）领域内，剪切率产生的力矩大于磁场产生的力矩，因而系统的有序度提高的幅度很小。