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根据测辐射热计对热敏感材料的要求。采用超高真空化学气相淀积（UHVCVD）法制备出多晶Si0.7Ge0.3薄膜，研究了B离子注入剂量、退火工艺与电导率和电阻温度特性的相关性，因此确定出了最佳的工艺条件。并利用其制备出了探测率高达3．75×10^8cmHz^1/2·W^-1的测辐射热计。
用于测辐射热计热敏材料的多晶锗硅薄膜的研究
【摘 要】
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根据测辐射热计对热敏感材料的要求。采用超高真空化学气相淀积（UHVCVD）法制备出多晶Si0.7Ge0.3薄膜，研究了B离子注入剂量、退火工艺与电导率和电阻温度特性的相关性，因此确定出
【机 构】
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清华大学微电子学研究所
【出 处】
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电子器件
【发表日期】
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2006年4期
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