【摘 要】
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采用电化学沉积方法在半导体Si上制备Cu-Co金属颗粒膜.XRD测试结果表明制备态的薄膜形成了单相亚稳态面心合金结构,薄膜经退火后,XRD谱图中出现了析出的纯金属Co的衍射峰,这
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采用电化学沉积方法在半导体Si上制备Cu-Co金属颗粒膜.XRD测试结果表明制备态的薄膜形成了单相亚稳态面心合金结构,薄膜经退火后,XRD谱图中出现了析出的纯金属Co的衍射峰,这表明薄膜在退火过程中发生了相分离.TEM测试结果也进一步证实了磁性的Co颗粒从非磁性的铜基体中析出.随着退火温度的增加,颗粒膜巨磁电阻(GMR)效应不断增大,当退火温度为450℃时,Co0.20Cu0.30薄膜的巨磁电阻效应达到最大,磁阻率为8.21%.之后,磁阻率又随退火温度的升高而降低.退火前后样品磁滞回线的变化表明薄膜中发生
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