【摘 要】
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据《国际半导体》（英）杂志1995年第8期报道，由ICE公司微电子实验室（ICE，苏格兰、亚利桑）的分析表明，早期主要的64MbDRAM是采用0．35μm工艺技术（见表1）然而ICE工程师相信这些半导体制造
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据《国际半导体》（英）杂志1995年第8期报道，由ICE公司微电子实验室（ICE，苏格兰、亚利桑）的分析表明，早期主要的64MbDRAM是采用0．35μm工艺技术（见表1）然而ICE工程师相信这些半导体制造商在1998年每月的产量将超出500000片，并将采用0．25μm技术。例如，在最近的国际
Analysis by ICE Microelectronics Laboratory (ICE, Scotland, Ariz.) Shows that the earlier major 64Mb DRAMs were fabricated using 0.35μm process technology (see Table 1) However, ICE engineers believe these semiconductor manufacturers will exceed 500,000 units per month in 1998 and will use 0.25μm technology. For example, in recent international
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