【摘 要】
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意法半导体近日公布了一项关于在薄膜无源元件集成工艺中大幅度提高结电容密度的突破性技术。这项技术是以一类被称作“PZT Ptrovskites”的物质为基础,该类物质是一种化合物
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意法半导体近日公布了一项关于在薄膜无源元件集成工艺中大幅度提高结电容密度的突破性技术。这项技术是以一类被称作“PZT Ptrovskites”的物质为基础,该类物质是一种化合物,主要元素是铅、锆、钛及氧,根据锆和钛的比例,该物质可发生多种变化。它的介电常数高达900,这个数值是
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