【摘 要】
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在较大尺寸的蓝宝石衬底上生长氮化镓(GaN)基发光二极管(light emitting diode,LED)外延往往会发生较为明显的翘曲状况,这会导致整个外延片发光一致性降低。本文通过优化非故
【机 构】
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华北科技学院计算机学院,东莞南方半导体科技有限公司,安徽工业大学数理科学与工程学院
【基金项目】
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廊坊市科学技术研究与发展计划资助项目(项目编号:2019011032)
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在较大尺寸的蓝宝石衬底上生长氮化镓(GaN)基发光二极管(light emitting diode,LED)外延往往会发生较为明显的翘曲状况,这会导致整个外延片发光一致性降低。本文通过优化非故意掺杂氮化镓层的生长参数,调节了外延层中的应力,该外延层的晶体质量得到改善。实验结果表明,优化生长条件后的LED样品,翘曲程度明显降低,发光一致性和均匀性得到提升。
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