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介绍了一种氮化铝烧结体的制备方法。将氮化铝颗粒与质量分数为0．05％-1％的SiO2或MgO混合研磨，在1600—1750℃煅烧4h，所得产品晶体的平均粒径在0．5～1．0μm，该烧结体表面平滑，表面粗糙度小于100nm。采用XRD对晶相进行分析，发现烧结体主要物相为A1N相或AION—A1N复相。该产品可用于半导体装置中。