【摘 要】
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本文介绍C波段低噪声场效应晶体管放大器的初步研制结果。采用国产CX-50型砷化鎵场效应晶体管。通过对晶体管S参数和噪声参数的测试进行电路设计。制成两级级联放大器作为接
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本文介绍C波段低噪声场效应晶体管放大器的初步研制结果。采用国产CX-50型砷化鎵场效应晶体管。通过对晶体管S参数和噪声参数的测试进行电路设计。制成两级级联放大器作为接收机低噪声前端,实现了实验室內5厘米频段的指标是:(包括前置限幅器、隔离器和后置接收机噪声在内的)系统噪声系数4.0分贝,放大器增益14分贝。文中并简介放大器承受射频脈冲功率的实验情况,以及与单脈冲雷达使用有关的若干指标的初步测试结果。
This article describes the C-band low noise field-effect transistor amplifier preliminary development results. Made using CX-50 gallium arsenide field-effect transistor. Through the transistor S parameters and noise parameters of the test circuit design. Made of two cascaded amplifiers as low noise front-end receiver to achieve the laboratory 5 cm band indicators are: (including the pre-limiter, isolator and receiver noise, etc.) System noise figure 4.0 DB, amplifier gain of 14 dB. In this paper, the experimental results of the amplifier receiving RF power and the preliminary test results of several indicators related to the monopulse radar are introduced.
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