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X射线光电子能谱测试(XPS)分析C(膜)/Si(Si02)(纳米微粒)/C(膜)样品发现:把400℃退火后的祥品继续加热到650℃并退火1h后,样品中除原有的Si晶体外,生成了SiC晶体,同时还出现了Si02晶体,这表明一部分Si与C反应生成SiC的同时,氧气的氧化作用占主导地位,把大部分Si氧化成了Si02.对比分析在650℃和750℃退火后祥品的Raman谱发现:随着加热温度的升高,SiC与Si含量增加而SiO2含量减少.这表明:在750℃时,C原于的还原作用继400℃后再次占主导地位,又把一部分S