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提出了一种能带调制模型，通过在异质结界面处引入负离子电荷（如氟离子）调制异质结处的局部能带分布，实现了对异质结界面处的高密度2DEG的改变。基于能带调制模型，提出了一种复合调制沟道A1GaN／GaNHFET器件。通过在增强型沟道调制区和RESURF调制区分别引入不同剂量的负离子，不仅实现了增强型器件，而且可以降低尖峰电场，优化异质结电场分布，提高器件击穿电压。通过器件仿真软件对其器件工作原理进行了模拟分析，并通过实验结果表明，其器件品质因子FOM由传统器件的4．8Mw·cm-2提高到26．7Mw